半導體封裝材料高壓TSDC熱刺激測試系統(tǒng)的產(chǎn)品原理是什么？

產(chǎn)品概述：

熱刺激去極化電流（TSDC）技術(shù)用于預測EMC的HTRB性能。TSDC方法包括極化過程，在該過程中，電介質(zhì)樣品暴露在高電場強度和高溫環(huán)境下。在這種情況下，電荷被分離并在介電材料電子元件中移動。盡管單個TSDC信號和HTRB性能之間的相關(guān)性表明，極化峰值越高，TSDC曲線越大，而HTRB性能越差，但這并不能wanquan解釋EMC在發(fā)出強放電信號時的某些故障。因此，弛豫時間是解釋外層HTRB失效樣本的另一個關(guān)鍵參數(shù)。

關(guān)于環(huán)氧塑封料（EMC， Epoxy Molding Compound）TSDC測試技術(shù)，為華測公司在國內(nèi)較早提及目前已被廣泛應用到較多的半導體封裝材料及半導體生產(chǎn)研發(fā)企業(yè)。已證明此測試方式是有效的，同時加速國產(chǎn)化IGBT、MOSFET等功率器件的研發(fā)。如無錫凱華、中科科化、飛凱材料等企業(yè)。

產(chǎn)品原理：

TSDC是一種研究電荷存儲特性的實驗技術(shù)，用于確定初始電荷和捕獲電荷的活化能以及弛豫，該方法包括一個極化過程，其中介電樣品在高溫下暴露于高電場強度下。在此之后，試樣在外加電場的作用下迅速進行冷卻。以這種方式，電荷被分離并固定在介電材料駐極體內(nèi)。然后進行升溫將駐極體內(nèi)的電荷進行釋放，同時配合測量儀器進行測量，并為科研人員進行分析。通過TSDC測試方法研究了EMC對功率半導體HTRB可靠性的影響，了解到EMC在高溫、高壓條件下會發(fā)生電極化或電取向。此外，依賴于在相應的冷卻環(huán)境中維持其極化狀態(tài)，它會干擾MOS-FET半導體中反轉(zhuǎn)層的正常形成。通過TSDC試驗，我們還了解了在可靠性測試中由于應用條件而導致的材料內(nèi)部極化電荷的數(shù)量也是一個重要的影響因素。

產(chǎn)品參數(shù)：

設(shè)備型號：HC-TSC

溫度范圍：-185 ~ 600°C

控溫精度：±0.25°C

升溫斜率：10°C/min（可設(shè)定）

測試頻率：最大電壓：±10kV

加熱方式：直流電極加熱

冷卻方式：水冷

樣品尺寸：φ＜25mm，d＜4mm

電極材料：黃銅或銀;

夾具輔助材料 ：99氧化鋁陶瓷

低溫制冷：液氮

測試功能 ：TSDC

數(shù)據(jù)傳輸：RS-232  

設(shè)備尺寸 ：180 x 210 x 50mm